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TRANSISTOR SEMICONDUCTOR 2N7000 MOSFET 200MA 60V TO-92

Conformidad RoHS.

Detalles:

• Nombre del transistor: 2N7000.

• Estructura del transistor: MOSFET.

• Tipo de control de canal: N-channel.

• Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 400mW.

• Tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 60V .

• Número de Pines: 3

• Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 40V.

• La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 200mA.

• Tiempo de caída típica: 8ns

• Tiempo de subida típica: 15ns

• Corriente de drenaje continua máxima 0,2A

• Encapsulado fabricante: TO-92.

• Resistencia de fuente de drenaje máxima 5?.

• Configuración: Doble.

• Tensión máxima puerta-fuente: ±18V

• Tiempo de retardo de apagado típico: 7ns

• Tiempo de retardo de encendido típico: 5ns

• Temperatura de funcionamiento máxima: 150°C.

• Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C.

Producto igual a foto.

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